MPF102 — onsemi

O MPF102 é um transistor JFET de canal N, do tipo depletion (depleção), destinado principalmente a aplicações de amplificação de sinais de RF/VHF e pequenos sinais. É um componente semicondutor discreto, e não um circuito integrado. A documentação da onsemi o identifica especificamente como “JFET VHF Amplifier, N-Channel, Depletion”.

Descrição minuciosa

O MPF102 possui três terminais — Drain (Dreno), Source (Fonte) e Gate (Porta) — e utiliza tecnologia JFET de canal N. Diferentemente de um MOSFET convencional, a porta é formada por uma junção PN e normalmente é polarizada reversamente.

Por ser um dispositivo depletion, o canal permanece conduzindo quando VGS = 0 V. A corrente de dreno pode ser reduzida aplicando uma tensão negativa entre Gate e Source. Dessa forma, o MPF102 pode ser utilizado como amplificador de pequenos sinais, estágio de entrada de alta impedância ou dispositivo de controle de ganho.

O componente apresenta características particularmente interessantes para RF/VHF, com especificações de pequenos sinais avaliadas inclusive em 100 MHz. A documentação também apresenta curvas de desempenho em 400 MHz, evidenciando sua utilização em amplificação de radiofrequência.

Principais características elétricas

Corrente de dreno

Uma característica importante é o amplo intervalo especificado para IDSS, de 2 mA a 20 mA. IDSS representa a corrente de dreno com VGS = 0 V, sob as condições especificadas no datasheet.

Essa dispersão é característica de JFETs e significa que dois MPF102 podem apresentar correntes de dreno significativamente diferentes. Portanto, em projetos que dependem precisamente de IDSS, normalmente é necessário considerar essa variação.

Tensão de corte

A tensão VGS(off) pode chegar a aproximadamente −8 V. Aplicando uma tensão suficientemente negativa à porta em relação à fonte, o canal é progressivamente estrangulado e a corrente de dreno diminui.

O datasheet especifica ainda uma condição de VGS entre −0,5 V e −7,5 V para uma corrente de dreno de 0,2 mA, mostrando a ampla faixa de controle proporcionada pela porta.

Características para RF

O MPF102 apresenta admitância de transferência (|yfs|) de:

• 2.000 a 7.500 µmhos a 1 kHz;
• mínimo de 1.600 µmhos a 100 MHz.

A capacitância de entrada Ciss é especificada em até 7 pF, enquanto a capacitância de transferência reversa Crss é de até 3 pF, características importantes para determinar o comportamento do transistor em altas frequências.

Por essas características, ele pode ser utilizado em:

• Pré-amplificadores de RF;
• Amplificadores VHF;
• Receptores de rádio;
• Estágios de entrada de alta impedância;
• Amplificadores de pequenos sinais;
• Misturadores e circuitos de RF;
• Osciladores;
• Instrumentação eletrônica;
• Circuitos de baixo nível de sinal.

Pinagem

No encapsulamento TO-92, a documentação da onsemi apresenta:

Pino 1 — Drain (Dreno)
Pino 2 — Source (Fonte)
Pino 3 — Gate (Porta)

Potência e temperatura

A dissipação máxima especificada é de aproximadamente 350 mW a 25 °C, com redução da potência conforme aumenta a temperatura ambiente. O datasheet original especifica temperatura de junção máxima de 125 °C e temperatura de armazenamento de −65 °C a +150 °C.

Encapsulamento

O MPF102 é fornecido em TO-92 (TO-226AA), um encapsulamento pequeno de três terminais, adequado para montagem convencional em placas de circuito impresso.

A onsemi também documenta uma versão MPF102G, correspondente à versão Pb-free.

Situação comercial

É importante observar que o MPF102 aparece atualmente como obsoleto em grandes distribuidores. A DigiKey identifica o MPF102 como Obsolete, embora ainda existam referências e estoques remanescentes.

Descrição para cadastro de estoque

MPF102 — onsemi — Transistor JFET de canal N, modo depleção, para amplificação de sinais VHF/RF e pequenos sinais, tensão máxima Drain-Source de 25 V, tensão máxima Gate-Source de −25 V, corrente IDSS de 2 a 20 mA, potência máxima de dissipação de 350 mW a 25 °C, baixa capacitância de entrada, encapsulamento TO-92 de 3 terminais, montagem through-hole.