BS170 — onsemi

O BS170 é um transistor MOSFET de canal N, de pequena potência e uso geral, fabricado pela onsemi. Diferentemente de um circuito integrado, o BS170 é um dispositivo semicondutor discreto, contendo essencialmente um único transistor MOSFET em seu encapsulamento.

Descrição técnica minuciosa

• Fabricante: onsemi
• Código: BS170
• Tipo: Transistor MOSFET
• Tecnologia: MOSFET de canal N
• Modo de operação: Enhancement / enriquecimento
• Tipo de dispositivo: Semicondutor discreto
• Número de transistores: 1
• Tensão máxima Drain-Source (VDS): 60 V
• Corrente máxima de Drain (ID): aproximadamente 500 mA
• Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±20 V
• Tensão de limiar Gate-Source (VGS(th)): aproximadamente 0,8 a 3,0 V
• Dissipação de potência: aproximadamente 350 mW, dependendo das condições térmicas
• Encapsulamento: TO-92
• Montagem: Through-Hole (THT)
• Canal: N
• Comutação: adequada para sinais e cargas de pequena potência
• Aplicação: chaveamento eletrônico e amplificação de pequenos sinais.

Funcionamento

O BS170 funciona através do controle da corrente entre Drain (D) e Source (S) pela tensão aplicada entre Gate (G) e Source (S).

Quando VGS está abaixo da tensão de limiar, o MOSFET permanece praticamente desligado.

Quando uma tensão positiva suficiente é aplicada ao Gate, forma-se um canal condutor entre Drain e Source, permitindo a passagem de corrente.

Uma característica importante do MOSFET é que o Gate possui uma impedância de entrada muito elevada, fazendo com que a corrente contínua necessária para controlar o dispositivo seja extremamente pequena.

Terminais

O BS170 possui três terminais:

Atenção: a disposição física dos terminais pode variar conforme fabricante/encapsulamento e versão. Para montagem de uma placa, deve-se conferir o datasheet específico do componente adquirido.

Aplicações

O BS170 pode ser utilizado em:

• Chaveamento de pequenas cargas;
• Interface entre microcontroladores e circuitos eletrônicos;
• Drivers de pequenos relés;
• Chaveamento de LEDs;
• Conversores de nível;
• Circuitos lógicos;
• Amplificadores de pequenos sinais;
• Osciladores;
• Circuitos de controle;
• Projetos com microcontroladores e sistemas embarcados.

Por ser um MOSFET de pequena potência, não é indicado para substituir MOSFETs de potência quando houver necessidade de controlar correntes elevadas.