W29EE011 — Winbond
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W29EE011 — Winbond

Sku: GAV0135

NCM: 8542.32.10

Categoria: Circuito IntegradoComponentes

Marca: Importado

Quantidade Disponivel: 1 un

Unidade: un
un

Por R$ 30,00

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Descrição do Produto

O W29EE011, da Winbond Electronics, é uma memória Flash CMOS paralela de 1 Mbit, organizada em 128K × 8 bits, equivalente a 128 KB de capacidade. É uma memória não volátil de 5 V, projetada para ser programada e apagada diretamente no circuito, sem necessidade de VPP de 12 V.

1. Especificações principais

Característica Especificação
Fabricante Winbond Electronics
Part Number W29EE011
Tipo Memória Flash CMOS
Tecnologia Flash não volátil
Capacidade 1 Mbit
Capacidade em bytes 128 KB (131.072 bytes)
Organização 128K × 8 bits
Interface Paralela
Barramento de dados 8 bits
Alimentação 5 V
Faixa de VCC 4,5 a 5,5 V
VPP externo Não necessário
Tempo de acesso 90 ns ou 150 ns, conforme variante
Página de programação 128 bytes
Programação de página 10 ms máx.
Apagamento do chip 50 ms
Retenção de dados 10 anos
Proteção Hardware e software
Interface lógica TTL
Encapsulamento DIP-32, TSOP-32, STSOP-32 e PLCC-32
Temperatura típica 0 a 70 °C

Essas características são especificadas no datasheet da Winbond.


2. Capacidade de memória

A denominação 1 Mbit pode causar confusão.

A organização é:

128K × 8

ou:

131.072 × 8 bits = 1.048.576 bits

Como:

1 byte = 8 bits

temos:

1.048.576 ÷ 8 = 131.072 bytes

Portanto:

W29EE011 = 128 KB de memória

Ele possui 17 linhas de endereço, A0 até A16:

2¹⁷ = 131.072 endereços

Cada endereço fornece um byte através das linhas:

DQ0–DQ7


3. É Flash, não uma EEPROM serial

Apesar do código conter EE, o W29EE011 é especificado pela Winbond como:

128K × 8 CMOS FLASH MEMORY

Ou seja, é uma Flash paralela.

Ela não deve ser confundida com EEPROMs seriais modernas como:

  • 24C02;
  • 24C04;
  • 24C256;
  • 25LC256.

Essas utilizam normalmente interfaces I²C ou SPI.

O W29EE011 utiliza um barramento paralelo de 8 bits, semelhante às antigas Flash utilizadas em BIOS.


4. Grande vantagem: não precisa de 12 V

Esse é um dos pontos mais importantes do W29EE011.

Memórias Flash paralelas antigas, como algumas Intel 28F e Macronix MX28F, utilizavam uma tensão externa VPP ≈ 12 V para programação/apagamento.

O W29EE011 não precisa disso.

Ele utiliza:

VCC = 5 V

tanto para alimentação quanto para programação e apagamento, graças ao circuito interno de geração de VPP.

Isso permite que o chip seja programado diretamente no sistema, utilizando somente a alimentação de 5 V.


5. Programação por página

O W29EE011 possui uma característica interessante: Page Write.

Cada página possui:

128 bytes

Assim, em vez de programar necessariamente um byte de cada vez, o controlador pode carregar uma página e executar uma operação de programação.

O datasheet especifica:

  • página: 128 bytes
  • ciclo de programação da página: 10 ms máximo
  • tempo efetivo de programação de byte: aproximadamente 39 µs.

Isso torna a gravação muito mais rápida que uma Flash antiga que necessitasse programar cada byte individualmente.


6. Apagamento

O dispositivo possui Chip Erase, permitindo apagar toda a memória.

O tempo especificado para o apagamento completo é de aproximadamente:

50 ms

Também existe mecanismo de detecção do término da operação.


7. Detecção do término da programação

O W29EE011 possui mecanismos que permitem ao microcontrolador ou programador determinar quando a operação terminou.

Entre eles:

  • Data Polling
  • Toggle Bit

Isso evita que o sistema tenha que simplesmente esperar um tempo fixo depois de cada operação.

 


8. Proteção contra gravação

O componente possui mecanismos de proteção de dados:

Proteção por software

É possível utilizar comandos específicos para habilitar mecanismos de proteção contra gravação acidental.

Proteção por hardware

O dispositivo também possui mecanismos relacionados aos sinais de controle para impedir operações indesejadas.

A Winbond especifica explicitamente software and hardware data protection.


9. Tempo de acesso

Existem versões do W29EE011 com diferentes velocidades.

As versões documentadas incluem:

  • 90 ns
  • 150 ns

Por exemplo, o W29EE011P90Z possui tempo de acesso de 90 ns.

Quanto menor o tempo de acesso, maior a velocidade com que o processador pode realizar as leituras.


10. Consumo

O datasheet apresenta valores típicos de:

  • 25 mA — corrente ativa;
  • 20 µA — corrente em standby.

Para uma Flash paralela de 5 V dessa geração, o consumo em standby é bastante baixo.


11. Retenção de dados

A Winbond especifica:

10 anos de retenção de dados

sob as condições estabelecidas pelo fabricante.

Isso é importante porque o conteúdo permanece armazenado mesmo depois que a alimentação é removida.


12. Ciclos de programação/apagamento

O datasheet informa:

  • 1.000 ciclos de programação;
  • 10.000 ciclos de apagamento, conforme a especificação apresentada para as operações.

Portanto, não deve ser tratado como uma RAM ou como memória destinada a gravações contínuas de alta frequência.


13. Pinagem — DIP-32

No encapsulamento DIP-32, o dispositivo utiliza:

  • A0–A16 → endereço;
  • DQ0–DQ7 → dados;
  • CE → habilitação do chip;
  • OE → habilitação da saída;
  • WE → habilitação da escrita;
  • VCC → +5 V;
  • GND → 0 V.

O datasheet especifica pinagem JEDEC padrão para memória byte-wide.

O DIP-32 é especialmente interessante para equipamentos antigos e programadores universais, porque permite fácil inserção em soquete.


14. Aplicações

O W29EE011 pode ser encontrado em equipamentos eletrônicos que necessitam armazenar firmware ou dados não voláteis, por exemplo:

  • BIOS de computadores antigos;
  • placas-mãe;
  • placas industriais;
  • equipamentos de telecomunicações;
  • sistemas embarcados;
  • controladores industriais;
  • equipamentos de teste;
  • placas eletrônicas antigas.

A capacidade de 128 KB era adequada para armazenar firmware relativamente grande para a época.


15. Comparação com os componentes que você perguntou anteriormente

Como você está levantando várias memórias antigas, esta comparação é bastante útil:

Componente Fabricante Capacidade Organização VPP externo
P28F001 Intel 1 Mbit 128K × 8 Dependendo da versão
28F1000PPC Macronix 1 Mbit 128K × 8 ≈12 V
28F1000PX Macronix 1 Mbit 128K × 8 ≈12 V
W29EE011 Winbond 1 Mbit 128K × 8 Não
AE29F2008 ASD 2 Mbit 256K × 8 Depende da versão

Aqui está uma diferença muito importante:

W29EE011 → 5 V somente

enquanto algumas Flash antigas da família 28F necessitam de VPP de aproximadamente 12 V para programação/apagamento.

Informações do Produto

Esse item vem somente ele, não vem acompanhado.