PH29EE010

PH29EE010 — SST (Silicon Storage Technology)

O PH29EE010 é uma memória EEPROM/Flash paralela de 1 Mbit, organizada em 128K × 8 bits, pertencente à família SST29EE010 da Silicon Storage Technology (SST). A documentação e os bancos de componentes identificam o PH29EE010 especificamente como dispositivo da SST.

1. Identificação

Característica	PH29EE010
Fabricante	Silicon Storage Technology — SST
Família	SST29EE010
Tipo	EEPROM / Flash paralela
Capacidade	1 Mbit
Capacidade em bytes	128 KBytes
Organização	128K × 8 bits
Barramento de dados	8 bits
Endereçamento	A0–A16
Número de posições	131.072
Tecnologia	CMOS SuperFlash
Tensão típica	5 V
Programação	Elétrica
Apagamento	Elétrico
Interface	Paralela assíncrona
Encapsulamento associado ao PH	PDIP-32
Aplicações	Firmware, BIOS, controladores, equipamentos industriais e sistemas embarcados

A documentação da família SST29EE010 confirma a organização de 1.048.576 bits, com linhas A16–A0, dados DQ7–DQ0 e sinais CE#, OE# e WE#.

2. Capacidade e organização

O 1 Mbit não significa 1 MB.

A organização é:

128K × 8

Portanto:

128 × 1024 = 131.072 bytes

ou:

128 KiB

A memória possui:

• 17 linhas de endereço: A0 até A16
• 8 linhas de dados: DQ0 até DQ7
• 131.072 endereços diferentes

O endereço máximo é:

0x1FFFF

Assim:

00000h ───────────── 1º byte

00001h

00002h

│

│

│

1FFFEh

1FFFFh ───────────── último byte

3. Interface paralela

O PH29EE010 utiliza o tradicional barramento paralelo de memórias:

Endereço:

A16 ... A0

Dados:

DQ7 ... DQ0

Controle:

CE# Chip Enable

OE# Output Enable

WE# Write Enable

Durante uma leitura, o microprocessador coloca o endereço em A0–A16, habilita CE# e OE#, e o byte armazenado aparece em DQ0–DQ7.

Durante a gravação, WE# controla a operação de escrita.

4. Tecnologia de memória

Um detalhe interessante é que a família 29EE010 utiliza a tecnologia SuperFlash proprietária da SST. A documentação descreve uma célula de memória com estrutura split-gate e tecnologia de injeção por tunelamento.

Isso permite que o dispositivo seja apagado e programado eletricamente, sem a necessidade de retirar o componente para exposição à luz ultravioleta, como ocorria com EPROMs UV tradicionais.

Portanto:

PH29EE010 ≠ EPROM UV tradicional.

Ele pertence à geração de memórias eletricamente regraváveis.

5. Programação

A grande vantagem do 29EE010 é que a programação pode ser realizada utilizando uma única alimentação, sendo a versão SST29EE010 especificada para 5 V.

A memória utiliza Page-Write, permitindo carregar até:

128 bytes por página

A documentação especifica:

• 128 bytes por página;
• 1024 páginas;
• tempo típico de Page-Write de aproximadamente 5 ms;
• ciclo de escrita envolvendo apagamento/programação de aproximadamente 10 ms em determinadas condições.

6. Retenção e durabilidade

A família SST29EE010 possui características bastante interessantes para equipamentos industriais e armazenamento de firmware:

• 100.000 ciclos de programação/apagamento, valor típico;
• retenção de dados superior a 100 anos, conforme especificação da família.

Isso significa que não é necessário reprogramar o dispositivo frequentemente em uma aplicação normal de firmware.

7. Velocidade

Existem diferentes versões de velocidade da família.

Entre elas aparecem:

• 70 ns
• 90 ns
• 120 ns

A própria documentação lista combinações como:

SST29EE010-90-4C-PH

e

SST29EE010-120-4C-PH.

Portanto, se no componente estiver gravado apenas PH29EE010, é importante verificar a marcação completa ou o datasheet correspondente antes de afirmar o tempo de acesso específico.

8. Encapsulamento

O código PH é particularmente importante.

Na documentação da SST, o código PH corresponde ao encapsulamento:

32-lead Plastic Dual-In-Line Package — PDIP-32.

Isso torna o PH29EE010 muito interessante para manutenção de equipamentos antigos, pois pode ser utilizado em soquete DIP-32.

Também existem versões da mesma família em outros encapsulamentos, como PLCC e TSOP, mas isso não significa que sejam fisicamente intercambiáveis com o PDIP-32.

9. Aplicações

O PH29EE010 é apropriado para armazenamento permanente de:

• BIOS;
• firmware;
• código de inicialização;
• parâmetros de configuração;
• tabelas;
• programas de microcontroladores;
• controladores industriais;
• placas eletrônicas;
• equipamentos de telecomunicações;
• instrumentos eletrônicos;
• sistemas embarcados.

Há inclusive registros históricos do PH29EE010 em listas de dispositivos suportados por programadores de memória.

10. Diferença para EPROM 27C010

É importante não confundir:

PH29EE010

com:

27C010

Embora ambos possam apresentar:

• 1 Mbit;
• 128K × 8;
• 32 pinos;
• barramento paralelo;

o processo de programação é diferente.

Uma 27C010 EPROM tradicional necessita de apagamento por ultravioleta quando é do tipo UV.

Já a 29EE010 é eletricamente apagável e programável.

Portanto, para substituição, não basta verificar somente:

128K × 8 + DIP-32.

É necessário verificar também:

• pinagem;
• tensão;
• algoritmo de programação;
• sinais de controle;
• tempos;
• compatibilidade elétrica.

11. PH29EE010 x SST29EE010

Há uma particularidade interessante na nomenclatura.

A documentação da família utiliza nomes como:

SST29EE010-90-4C-PH

Enquanto catálogos e programadores podem apresentar simplesmente:

PH29EE010.

O próprio banco de dispositivos da Elnec identifica PH29EE010 como fabricante SST.

Portanto, para cadastro de componente, uma descrição adequada é:

PH29EE010 — Silicon Storage Technology (SST), memória EEPROM/Flash paralela de 1 Mbit (128K × 8), tecnologia SuperFlash, interface de 8 bits, 17 linhas de endereço, programação e apagamento elétricos, encapsulamento PDIP-32.